国家知识产权局宣告“线性薄膜磁阻传感器”专利无效

　　北京易聚律师事务所和北京三聚阳光知识产权代理有限公司联合代理请求人无锡乐尔科技有限公司的一件专利无效宣告结案。国家知识产权局作出第422001号无效决定，宣告权利人江苏多维科技有限公司的201210205416.8号“线性薄膜磁阻传感器”专利权全部无效。

　　此前，我方已为无锡乐尔成功处理多件专利纠纷，其中【（2020）最高法知民终1258号上诉人无锡乐尔科技有限公司、白建民与被上诉人江苏多维科技有限公司专利权权属纠纷案】入选了最高人民法院知识产权法庭典型案例。

　　本专利权利要求1如下： “1. 一种线性薄膜磁阻传感器，其特征是，包括： 种子层； 参考层，位于所述种子层上，具有第一磁矩； 非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离； 磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述磁性自由层的第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直； 所述磁性自由层的第二磁矩在非磁性隔离层的晶格结构作用下产生垂直于膜面的各向异性时，磁性自由层的材料包括 CoFeB，或 CoFeB 与 Ta 形成的复合层，或 CoFeB、Ru 与 Ta 形成的复合层、或CoFeB、Ta、Ru 与 Ta 形成的复合层 所述参考层包括非磁性钉扎层及磁性被钉扎层，所述非磁性钉扎层位于种子层上，磁性被钉扎层位于非磁性钉扎层上；非磁性钉扎层与磁性被钉扎层产生交换耦合场，所述交换耦合场在磁性被钉扎层上具有第一磁矩。

　　专利法第 22 条第 3 款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。

　　涉案专利权利要求 1 要求保护一种线性薄膜磁阻传感器，其包括两个并列技术方案，其区别仅在于技术方案一包括特征“磁性自由层的材料包括 CoFeB”，技术方案二包括特征“磁性自由层的材料包括CoFeB 与 Ta 形成的复合层，或 CoFeB、Ru 与 Ta 形成的复合层、或 CoFeB、Ta、Ru 与 Ta 形成的复合层”。

　　我方认为，我方提交的证据 1 与本专利均属于薄膜磁阻元件领域，磁存储和测量均为薄膜磁阻元件常见的应用领域，其均是应用了磁阻元件中自由层磁矩方向随着外界磁场方向的变换导致磁阻线性变化的特性，也均面临着自由层磁矩方向随着外界磁场变化时减小磁滞以提高存储的准确性或测量的灵敏度的问题。证据 1 是采用贵金属的方式获得垂直磁矩，而本领域技术人员为了降低成本，有动机寻找其它的获得垂直磁矩的方式以对证据 1 的技术方案进行改进。

　　而我方提交的证据 4 公开了垂直各向异性 CoFeB-MgO 磁隧道结具有包含磁滞低、热稳定性高、反转电流低等一系列特性，且通过 MgO 和 CoFeB 之间的界面各向异性足以实现高性能的垂直 CoFeB-MgO MTJ，不需要利用额外贵金属。本领域技术人员在测量的应用场景下面临减小磁滞并降低成本的技术问题时，可以从证据 4 公开的垂直各向异性 CoFeB-MgO 磁隧道具有磁滞低且成本低的特性中获得启示，即本领域技术人员容易想到将证据 4 公开的上述特征应用于证据 1 的技术方案中，以降低证据 1 获得垂直磁矩的成本。并且，磁性自由层的材料包括 CoFeB、Ta、Ru与 Ta 形成的复合层也是本领域技术人员在证据 4 给出的各层结构上容易想到的常规选择。

　　因此，在证据 1 的基础上结合证据 4 以及本领域公知常识，获得本专利权利要求 1 技术方案一和二的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求 1 技术方案一和二均不具备专利法第 22条第 3 款规定的创造性。